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關于組織申報中央軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局2019年電子元器件科研項目的通知

文章來源：科學技術研究院編輯：華道顧問

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軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局已于2019年5月22日通過全軍武器裝備采購信息網(wǎng)發(fā)布了290項電子元器件科研項目研制需求，其中公開211項（參見附件一），涉密79項（涉密指南請于5月24日早8點后到科研院205查詢），現(xiàn)擬對上述項目進行公開評審，特邀請國內(nèi)有能力從事此項目的企事業(yè)單位參加，有關事項公告如下：

一、企業(yè)資格要求
1.在中華人民共和國境內(nèi)注冊且法定代表人具有中華人民共和國國籍；
2.非外資控股企業(yè)；
3.不得為從事代理、銷售等非科研生產(chǎn)性質(zhì)的單位；
4.取得國家標準的質(zhì)量管理體系認證證書；
5.涉密項目申報單位需具備三級（含）以上保密資格，以及相應專業(yè)的裝備承制單位資格；
6.所有項目均不接受聯(lián)合體申請。
二、需求對接時間、地點、內(nèi)容、方式
初審（盲審）及會議評審的具體時間、地點和要求，請相關人員關注科研院的進一步通知。
三、評審與結果反饋
1.項目評審分為初審（采取盲審形式）和會議評審。
2.超過5個申報單位的項目需進行初審（盲審），不超過5個（含）的直接采用會議評審方式。
3.初審（盲審）為專家書面評審，申報單位不到現(xiàn)場答辯。對通過初審（盲審）的單位將另行通知后續(xù)會議評審的時間安排及要求。
4.會議評審采取現(xiàn)場答辯方式，申報單位須到現(xiàn)場答辯，采取專家打分形式擇優(yōu)推薦擬立項單位（電子元器件科研項目評審工作規(guī)范參見附件二）。
5.會議評審后，入圍候選單位信息將在全軍武器裝備采購信息網(wǎng)公示，時間為5天。
四、申報確認
請有申請意向單位填寫《項目申報意向登記表》（見附件二），并于2019年5月26日18:00時前將《項目申報意向登記表》Word電子版，以及加蓋公章后的紙質(zhì)版，通過掃描圖像文件（Jpeg格式）交到科研院205。

聯(lián)系人：趙小龍蔣凱偉
聯(lián)系電話：3922080

科學技術研究院

2019年5月22日

附件一：

序號	標題	專業(yè)領域	主要內(nèi)容	功能用途
1	2019XP1119-110-170GHz低噪放	電子元器件	頻率：110-170GHz；噪聲系數(shù)：≤3.5dB；增益平坦度：±2dB。	略
2	2019XP1120- 75-170GHz零偏檢波芯片	電子元器件	1、頻率：75-110GHz；電壓靈敏度：≥1200V/W；最小檢測功率：-40dBm 。2、頻率：110-170GHz；電壓靈敏度：≥1000V/W；最小檢測功率：-40dBm。	略
3	2019XP1121- 80-183GHz功率芯片	電子元器件	1、頻率：80-130GHz；增益:≥15dB； P1dB:≥20dBm；功率平坦度：≤±1.6dB。2、頻率：108-183GHz；增益:≥15dB； P1dB:≥18dBm；功率平坦度：≤±1.5dB3、頻率：180-280GHz；增益:≥12dB； P1dB:≥13dBm；功率平坦度：≤±1.5dB。	略
4	2019XP1122- 12GHz-27GHz功率放大芯片	電子元器件	1、頻率范圍:12GHz-19GHz 增益:≥30dB；增益平坦度：≤±1.5dB 輸出功率：≥+31dBm；輸入回波損耗：≤-15dB；輸出回波損耗：≤-6dB。2、頻率范圍:18GHz-27GHz 增益:≥15dB；增益平坦度：≤±1.0dB 輸出功率：≥+31dBm；輸入回波損耗：≤-15dB；輸出回波損耗：≤-12dB。	略
5	2019XP1123- PIN二極管（10MHz-70GHz）	電子元器件	Rs：≤1 歐姆（IF=10mA f=100MHz)Cj：≤0.03pF(VR=10V)τ：500ns-1500ns(IF=10mA IR=6mA 50% Recovery）VBR:≥250V（IR=10μA）。	略
6	2019XP1124- 7GHz寬帶增益可控放大器	電子元器件	輸入端口數(shù)量： 1路單端；模擬帶寬： DC～7GHz（-3dB）， DC～4GHz（-1dB）；增益范圍： -31.75dB～+40dB， 0.25dB步進信號輸出端口數(shù)量： 4路差分；噪聲系數(shù)：≤8dB(4GHz)。	略
7	2019XP1126- 電容系列	電子元器件	頻率：16kHz(-3dB)-40GHz/160kHz(-3dB)-67GHz；尺寸：0402/0201容值：100nF/10nF插入損耗：≤0.5dB/≤0.5dB額定電壓：16WDC/10WDC回波損耗：≤-10dB。	略
8	2019XP1127- InP 寬帶梳譜發(fā)生器芯片	電子元器件	1、S波段低相噪梳譜發(fā)生器芯片：輸入信號：120MHz；輸入信號功率：1～4dBm；輸出幅度平坦度：≤1dB；輸出諧波功率：≥-35dBm；輸出諧波相位噪聲：≤-120dBc/Hz@100kHz offset，2.64GHz輸出；功耗：≤1W。2、26.5GHz寬帶梳譜發(fā)生器芯片：輸入頻率范圍：10MHz～6GHz；輸入信號幅度：500mvpp～800mvpp脈沖@10MHz輸入；輸入輸出幅度平坦度：≤12dB@10MHz輸入；功耗：≤1W。	略
9	2019XP1128- InP高頻超寬帶分頻器	電子元器件	1、頻率范圍：4GHz～50GHz；分頻比：2；輸入功率范圍：-10dBm～+5dBm；SSB相位噪聲：≤-130dBc/Hz@100kHz(30GHz輸入)；直流功耗：≤500mW。2、頻率范圍：26GHz～67GHz；分頻比：2；輸入功率范圍：-5dBm～+5dBm；輸出功率范圍：≥-10dBm；SSB相位噪聲：≤-130dBc/Hz@100kHz(30GHz輸入)；直流功耗：≤900mW。	略
10	2019XP1129- 寬頻段放大芯片	電子元器件	頻率范圍：DC-20GHz；增益：15dB；增益平坦度：±0.25dB；工作電壓：+8V。	略
11	2019XP1130- 功率放大芯片	電子元器件	頻率范圍：100MHz-20GHz；增益：11dB；增益平坦度：±0.5dB 1dB壓縮點。	略
12	2019XP1131- 電光調(diào)制器	電子元器件	模擬調(diào)制：67GHz；工作波長：1550nm；消光比：≥ 20dB。	略
13	2019XP1132- 光電探測器	電子元器件	3dB截止頻率：70GHz；暗電流：典型值2nA；響應度:0.6V/W。	略
14	2019XP1133- 光擾偏器	電子元器件	中心波長：1550nm；工作波長范圍：≥100nm；擾偏后偏振度：≤5%；偏振模式色散：≤0.05ps。	略
15	2019XP1134-波導衰減器系列	電子元器件	頻率范圍：50GH~75GHz/60GHz~90GHz/75GHz~110GHz ；電壓駐波比：≤1.2 ；插入損耗：≤1dB 。	略
16	2019XP1135-1.35mm-1.0mm同軸轉接器系列	電子元器件	工作頻率：DC～90GHz；回波損耗：≥28dB@DC～20GHz，≥20dB@20GHz～50GHz，≥17dB@50GHz～70GHz，≥14dB@70GHz～90GHz。	略
17	2019XP1136-微波大功率密封法蘭轉接器	電子元器件	通道數(shù)量：24個；單通道指標如下：接口形式：TNC-K；特性阻抗：50歐姆；工作頻率：0.05～11GHz；電壓駐波比：≤1.2；插入損耗：≤0.8dB。	略
18	2019XP1137-微波大功率密封法蘭轉接器	電子元器件	通道數(shù)量：10個；單通道指標如下：接口形式：SC-K；特性阻抗：50歐姆；工作頻率：0.05～9GHz；電壓駐波比：≤1.2；插入損耗：≤0.8dB。	略
19	2019XP1140-8GHz～40GHz數(shù)字延時器	電子元器件	工作頻率：8-40GHz；控制位數(shù)：≤9；插入損耗：≤12dB；時延量及控制特性：最大位時延量0.31ns；最小位延時量0.00121ns。	略
20	2019XP1141-電子校準件	電子元器件	工作頻率：DC-18GHz；直通插損：≤8dB；駐波：≤5dB(短路、開路)；≥10dB(負載)輸入0.02dB壓縮點。	略
21	2019XP1142-雙通道寬帶射頻信號接受處理芯片	電子元器件	通道數(shù)：2；集成信號群延遲調(diào)整精度：1/50 Tclk；集成變頻通道數(shù)：4；變頻抽取倍數(shù)：2-8倍；信號接收最高采樣率：1GSPS。	略
22	2019XP1143-四通道寬帶射頻信號發(fā)射處理芯片	電子元器件	通道數(shù)：4；集成信號處理I/Q正交通道數(shù)：4；集成信號群延遲調(diào)整精度：1/50 Tclk；集成變頻通道數(shù)：8；變頻抽取倍數(shù)：2-16倍；通道隔離度：50dB；信號接收串行接口速率：12.5Gbps。	略
23	2019XP1148-音頻解碼器	電子元器件	支持立體聲音頻；分辨率：24bit；信噪比ADC/DAC ：94、96；2個DAC通道；支持16/20/24-bit PCM編碼。	略
24	2019XP1150-消回音電路	電子元器件	1、3路模數(shù)轉換器；2、2路數(shù)模轉換器；3、30mW低功耗；4、側音消除25～35db；5、回聲長度范圍：64～100ms6、麥克輸入和線性輸入（可編程增益放大）范圍-2dB～ +26dB；7、線性輸出和揚聲器輸出（可編程增益放大）范圍-29dB～+2dB；8、兩種類型時鐘輸入：4.096MHz或13MHz；9、70ms初始化時間。	略
25	2019XP1154-SATA接口存儲芯片	電子元器件	電源電壓:3.3V,12V；電源電流:60mA(工作模式),500μA(睡眠模式)；最大允許功耗:450mW(工作模式),70mW(睡眠模式),210mW(標準模式)。支持SATA 1.5G/s和3.0Gb/s模式，最大讀性能70MB/s。	略
26	2019XP1155-3.2Gbps單通道緩沖多路復用器/解復用開關	電子元器件	電源電壓3.0～3.6V；功耗200mW；支持數(shù)據(jù)速率0～3.2Gbps；時延640ps；切換時間5ns；輸出上升/下降時間85ps。	略
27	2019XP1156-高性能SRAM	電子元器件	電源電壓3.3±5%；功耗1.6W；支持最大時鐘頻率200MHz；72Mb容量；支持“NO WAIT”訪問模式。	略
28	2019XP1158-4通道差分開關	電子元器件	電源電壓:3.3V；工作帶寬:8GHz；最大傳輸速率:12Gbps；最大允許功耗:21.6mW 。	略
29	2019XP1160-單端轉LVPECL差分時鐘扇出Buffer	電子元器件	電源電壓:3.3V；1-to-4扇出Buffer，支持LVCMOS/LVTTL或晶體時鐘輸入；4路LVPECL輸出；最大輸出頻率266MHz。	略
30	2019XP1161-PCIe時鐘扇出Buffer	電子元器件	電源電壓:3.3V；專用于PCIe Gen1和Gen2的差分時鐘Buffer；6路差分時鐘輸出；輸出間偏移小于50ps。	略
31	2019XP1162-4端口SHDSL接口芯片	電子元器件	電源電壓3.0～3.6V/1.35～1.65V；功耗小于600mW；支持數(shù)據(jù)速率最大20800MHz。	略
32	2019XP1163-CVSD編解碼芯片	電子元器件	電源電壓3.0～3.6V；功耗10mW；支持16K/32K速率的CVSD編解碼功能。	略
33	2019XP1164-多路音頻接口芯片	電子元器件	電源電壓3.0～3.6V；功耗50mW；支持8~48K采樣，DAC信噪比不低于93dB，提供標準的I2S或PCM數(shù)字接口，提供2路麥克風和揚聲器接口。	略
34	2019XP1165-四路ADPCM編解碼芯片	電子元器件	電源電壓3.0～3.6V；功耗10mW；支持4通道的32k、24k、16k的ADPCM編解碼，主時鐘4.096Mhz。	略
35	2019XP1166-單端口SHDSL接口芯片	電子元器件	單口SHDSL接口芯片；支持MII, RMII, SMII, SS-SMII等接口電源；電壓:5V，3.3V；最大功耗:600mW。	略
36	2019XP1167-回聲消除器	電子元器件	工作溫度范圍:-40～85℃；電源電壓:5V；電源電流:70mA；最大允許功耗:500mW；輸出高電平電壓≥0.9V；輸出低電平電壓≤0.1V；工作頻率:19.2MHz。	略
37	2019XP1170-差分時鐘轉換芯片	電子元器件	電源電壓:2.5V,3.3V；支持晶體、單端和差分輸入；支持LVPECL輸出；輸入頻率范圍：15.625MHz-32MHz；輸出頻率范圍：83.33MHz-213.33MHz；周期抖動最大45ps。	略
38	2019XP1171-E1接口芯片	電子元器件	電源電壓3.3V±5%；最大功耗不大于0.8W；提供四路E1接口。	略
39	2019XP1172-以太網(wǎng)映射器	電子元器件	電源電壓3.3V±5%，1.8V±5%；最大功耗不大于0.8W；四路以太網(wǎng)到HDLC/X.86轉換。	略
40	2019XP1173-45MHz小體積窄帶高矩形度晶體濾波器	電子元器件	標稱頻率：45MHz；-3dB帶寬：≥±13kHz；-60dB帶寬：≤±24kHz；插入損耗：≤3dB；帶內(nèi)波動：≤0.8dB；矩形系數(shù)：-80dB帶寬/-3dB帶寬≤2.0；阻帶抑制：≥90dB（f0-10MHz~f0-700kHz，f0+700kHz~f0+10MHz）。	略
41	2019XP1174-低輻射誤差深空探測光纖溫度傳感器	電子元器件	±0.5℃?zhèn)鞲衅鞣直媛剩?.1℃；反射率≥90%。	略
42	2019XP1175-ISDN DNIC控制器	電子元器件	控制器接口側：輸出低電平時，輸出電壓最大0.4V,輸出電流典型7.5mA；輸出高電平時，輸出電壓最小2.4V,輸出電流最小10uA；輸入高電平時電壓：最小2.4V，輸入低電平電壓：最大0.4V，輸入漏電流最大10uA；3）線路接口側：輸入電壓Vpp最大5V,輸入阻抗最小20kΩ，輸出電容8pF，負載電容最大20pF；4）參考時鐘10.24MHz。	略
43	2019XP1176-新研-SATA接口的集成式固態(tài)存儲芯片	電子元器件	讀取速率不小于300MB/s,寫入速率不小于200MB/s；容量8GB SLC。	略
44	2019XP1177-硅基單片6GHz集成VCO鎖相環(huán)	電子元器件	輸出功率最大值：≥0dBm@3GHz，≥-5dBm@6GHz；噪聲優(yōu)值：≤-223dBc/Hz；最大鑒頻鑒相頻率：125MHz(整數(shù))、80MHz(小數(shù))；跳頻時間：≤50us(全頻段任意跳)。	略
45	2019XP1180-寬輸入電壓范圍4A同步降壓型DC/DC電源芯片	電子元器件	1.輸入電壓范圍：3.4V ～42V；2.輸出電流：4A；3.輸出紋波電壓：＜ 10mVp-p4.輸出電壓：可調(diào)低至0.970V；5.效率： 96% at 1MHz，94%y at 2MHz。	略
46	2019XP1185-摻稀土的氟化鋇快響應閃爍晶體研制	電子元器件	光輸出≥2000 photons/MeV；衰減時間≤2 ns（快），衰減時間≤620 ns（慢）；快/慢分量比≥1.2；透光率：≥80%（@220 nm）；均勻性≥95%。	略
47	2019XP1186-長波長快衰減塑料閃爍體	電子元器件	發(fā)光峰值波長≥ 480 nm；衰減時間≤ 3 ns；能量轉換效率> 5000 photons/MeV；單片閃爍體不均勻度：< 3%。	略
48	2019XP1187-50ns時間分辨高幀頻CMOS圖像傳感器	電子元器件	分辨率：≥256×256像素；最小快門速度(時間分辨)：50ns；片上存儲畫幅數(shù)：≥4幅；線性動態(tài)范圍：≥60dB；數(shù)字化精度：12bit。	略
49	2019XP1188-小型化低抖動偽火花開關	電子元器件	陽極最高耐壓：40kV；陽極工作電壓：25kV～30kV；陽極脈沖電流（最大值）：≥10kA；陽極脈沖電流寬度：≥500ns；陽極著火延遲時間：≤200ns；陽極著火延遲漂移時間：≤±5ns；電壓上升速率: 800 V/ns。	略
50	2019XP1189-四極電子管	電子元器件	工作方式：脈沖調(diào)制正弦波；輸出功率： ≥500 kW（Pulse）；工作頻率：325 MHz ±1 MHz；頻率范圍：195～600MHz；脈沖調(diào)制重復頻率：1 Hz；脈沖寬度：20 μs ~150 μs；高頻激勵輸入功率：≤ 7 kW（Pulse）；負載特性：VSWR ≤ 2。	略
51	2019XP1190-高壓大電流高重頻偽火花開關	電子元器件	正向陽極峰值電壓：45kV；正向陽極直流電壓：40kV；陽極峰值電流：50kA；電流反峰比：≥70%；延遲導通時間： ≤200ns；平均陽極電流：2A；最大脈沖重復頻率：400pps。	略
52	2019XP1191-室溫中紅外HgCdTe面陣探測器	電子元器件	像元數(shù)：1024（32×32）；像元間距：6mm；像元面積（光敏面面積）：約0.25mm2；可測量光譜范圍：3.0μm～4.3μm；響應率：0.5A/W。	略
53	2019XP1192-通用寬帶大動態(tài)收發(fā)處理芯片	電子元器件	片內(nèi)集成可變增益（60dB）放大器（VGA）、鎖相環(huán)（PLL）；高性能ADC（14bit位寬320MSPS）；DAC（14bit位寬2GSPS）；混頻器、濾波器、數(shù)字接口（符合JESD204B標準6.4Gbps的SERDES總線）等模塊。	略
54	2019XP1197-光學幅相調(diào)節(jié)器	電子元器件	工作波長：1530-1560nm；延時步進：≤0.5ps；調(diào)節(jié)步進：0.2 dB；光學插入損耗：≤3dB；插損變化量<0.5dB；回波損耗：>55dB；通道數(shù)：8	略
55	2019XP1199-Si基集成光采樣單元	電子元器件	在全光域?qū)崿F(xiàn)對射頻信號的寬帶光A/D轉換；射頻信號輸入帶寬>20GHz；光采樣率>40GSPS；A/D轉換分辨率>8位；信噪比>30dB。	略
56	2019XP1201-零中頻正交解調(diào)器	電子元器件	輸入射頻及本振頻率：400MHz~6GHz；輸入IP3:30dBm@900MHz,28dBm@1900MHz；正交解調(diào)準確度@900MHz；相位準確度不高于0.2°；幅度平衡度不高于0.07dB。	略
57	2019XP1202-寬帶高速捷變本振源芯片/模塊	電子元器件	相位噪聲：≤-70dBc/Hz@100Hz；≤-80dBc/Hz@1kHz；≤-90dBc/Hz@10kHz；≤-100dBc/Hz@100kHz；諧波抑制：≤-30dBc；切換時間：≤50ns；控制接口：可設置頻點和跳速。	略
58	2019XP1204-SP3508EF-L	電子元器件	支持20Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率；支持RS-232(V.28)；支持EIA-530(V.10&V.11)；支持X.21(V.11)；支持EIA-530A(V.10&V.11)；支持RS-449/V.36(V.10&V.11)；支持V.35(V.35&V.28)。	略
59	2019XP1206-正交解調(diào)器	電子元器件	輸入帶寬超過1000MHz，中心頻率達到4GHz，無雜散動態(tài)范圍達到40dB。	略
60	2019XP1207-正交調(diào)制器	電子元器件	輸入帶寬超過800MHz，中心頻率超過4.5GHz，載波抑制度超過45dBc。	略
61	2019XP1208-頻綜芯片	電子元器件	輸出時鐘頻率范圍100MHz~2700MHz，支持小數(shù)分頻，高線性度混頻。	略
62	2019XP1210-寬帶衛(wèi)通SOC基帶芯片	電子元器件	a)支持寬帶高速調(diào)制解調(diào)：1路500MBaud的解調(diào)器，2路100MBaud的解調(diào)器，1路150Mband的調(diào)制器；b)多核ARM架構CPU，主頻1.2G3)集成I2C，SPI，DDR3接口。	略
63	2019XP1211-UHF雙模手持機射頻收發(fā)芯片	電子元器件	支持FDD和TDD衛(wèi)星信號收發(fā)模式；支持至少兩收兩發(fā)四通道；工作頻段覆蓋300MHz~3000MHz；接收機架構支持低中頻和直接變頻可配置；信道帶寬324KHz~5MHz可配置；接收通道噪聲系數(shù)≤5dB；	略
64	2019XP1212-陣列信號處理芯片	電子元器件	波束水平范圍 0°～360°；波束垂直范圍不低于15°～90°；最大波束合成天線陣元個數(shù) 8個；8天線陣波束合成增益 ≥ 8.5dB；每個輸入通道位數(shù) 16-bit	略
65	2019XP1218-AD轉換器	電子元器件	LVDS信號輸入，16bit分辨率；最高采樣速率達到1230MSPS；可調(diào)模擬輸出電壓8.7mA~31.7mA；ACLR=82.5dBC@122.88Mhz。	略
66	2019XP1220-AD轉換器	電子元器件	單通道12位數(shù)模轉換；3V/5V電源輸入，輸出0~Vdd；工作溫度范圍：-40~85；貯存溫度范圍：-65~150；外形尺寸≤3.2mm*5mm	略
67	2019XP1221-固態(tài)功率放大器	電子元器件	150W功率放大器模塊；工作模式：連續(xù)波；輸出額定功率P-1dB：≥150W；增益：G≥70dB；增益平坦度：≤±0.6dB（40MHz內(nèi)）；≤±1.3dB（750MHz內(nèi)P-1dB回退10dB）。	略
68	2019XP1222-通信基帶處理芯片	電子元器件	支持技術體制：FDMA/TDMA/CDMA/OFDMA；信息速率：50bps-10Mbps；編譯碼：Turbo、LDPC、Polar。	略
69	2019XP1223-移動通信系統(tǒng)射頻芯片	電子元器件	1、發(fā)射通道：發(fā)射功率≥3dBm；EVM≤5%；ACPR≤-25dBc@第一鄰道、≤-40dBc@第二鄰道、≤-48dBc@第三鄰道、≤-55dBc@第四鄰道及以上；工作頻段覆蓋1980-2010MHz；2、接收通道：噪聲系數(shù)≤5dB；EVM≤5%；抗阻塞滿足≥-40dBm；工作頻段覆蓋2170-2200MHz。	略
70	2019XP1231-電源芯片	電子元器件	可以提供0.6V至1.5V范圍電壓；支持不小于7相供電，單相供電流能力不小于40A；支持SMBus接口；支持動態(tài)調(diào)壓功能；功耗小于200mW。	略
71	2019XP9002-以太網(wǎng)多路PHY芯片	電子元器件	SGMII接口，支持符合IEEE 802.3標準的銅線接口：1000BASE-T、100BASE-TX、10BASE-T；支持光纖接口：1000BASE-X、100BASE-FX、SGMII-Slave口；集成雙絞線終端電阻；兼容IEEE 802.3az。	略
72	2019XP9003-PCI-E零延遲差分時鐘驅(qū)動	電子元器件	Cycle-to-cycle 間抖動小于40ps；output-to-output偏斜小于30ps。	略
73	2019XP9004-大電流DC/DC芯片	電子元器件	Accuracy Over Temperature ±0.5%；PWM輸出電壓（LOW threshold）小于0.5V，（HIGH threshold）大于4.5V。	略
74	2019XP9005-PCI-E網(wǎng)絡控制器	電子元器件	封裝尺寸 9X9 mm； PCIe v2.1（2.5GT/s）；支持SerDes、Copper、Copper IT。	略
75	1905WJ0001-面向桌面計算機的高性能多核64位處理器	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：自主64位指令系統(tǒng)；主頻不低于2.0GHz；不低于四核；不多于八核；功耗不超過60W。	略
76	1905WJ0002-高可靠發(fā)動機控制32位微處理器	電子元器件	共1個品種,產(chǎn)品指標：指令集兼容32位地址空間；內(nèi)核工作頻率：150MHz；片上FLASH：4MB；片上SRAM：192KB。	略
77	1905WJ0003-低功耗通用32位微處理器	電子元器件	共3個品種,產(chǎn)品指標：品種1：內(nèi)核頻率：120MHZ； Flash Memory：512KB；品種2：48k程序存儲器，10k數(shù)據(jù)存儲器；內(nèi)核頻率：20MHz；品種3：與ARM指令集兼容；片上3MB帶ECC程序Flash；內(nèi)核工作頻率：220MHz。	略
78	1905WJ0004-高性能大容量網(wǎng)絡搜索芯片	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：芯片容量：80Mb；搜索鍵值長度：支持48b、80b、160b、240b、320b、480b、640b。	略
79	1905WJ0005-嵌入式圖形終端SoC	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：集成4個CortexA9核心處理器和2D GPU核的控制器；CPU內(nèi)核工作頻率：不低于1GHz；Cache：32kB I/D。	略
80	1905WJ0006-大容量NOR型FLASH存儲器	電子元器件	共3個品種,產(chǎn)品指標：品種1：容量1Gbits；可對任意扇區(qū)進行100,000次擦除操作。品種2：容量2Gbits；最大讀取時間：110ns。品種3：容量1Gbit；最高時鐘速率不低于108MHz。	略
81	1905WJ0007-大容量NAND型FLASH存儲器	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1、品種2：容量：8/16Gbit；讀寫周期時間：≥25ns(持續(xù)),≤30μs(隨機)；耐擦寫：100000次。	略
82	1905WJ0008-大容量DDR4動態(tài)存儲器	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1：容量4Gbit；最高頻率2.4Gbps；品種2：8Gb容量；512M×16 DDR4 SDRAM。	略
83	1905WJ0009-高性能SRAM存儲器	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1：功能：同步 NBT SRAM；容量：36Mb；位寬：36位；速度：333MHz。品種2：容量：128Kbit*8，高速存取時間：10ns。	略
84	1905WJ0010-高性能視頻壓縮電路系列	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：壓縮算法支持H.265；壓縮能力支持不小于1920×1080@60Hz；品種2：支持H.265硬核視頻編碼；編碼等級支持MAIN、MAIN 10、MAIN STILL PICTURE、MAIN 422；視頻編碼幀性能不低于4K@30fps。	略
85	1905WJ0011-2T高性能網(wǎng)絡交換芯片	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：交換容量：2.0Tbps；端口：至少具備20個100Gbps端口，至少具備4個200Gbps端口和2個400G端口。	略
86	1905WJ0012-雙路萬兆網(wǎng)絡PHY芯片	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：可用于2路XAUI轉SPI，實現(xiàn)10-Gbps以太網(wǎng)傳輸；通道數(shù)量、種類及速率：提供2個XAUI轉SPI通道，每個通道都可實現(xiàn)10.3125Gbps 速度的數(shù)據(jù)傳輸；基準時鐘輸入：156.25MHz。	略
87	1905WJ0013-磁耦合高速數(shù)字隔離器	電子元器件	共5個品種，產(chǎn)品指標：品種1：四通道，隔離電壓≥1500V；品種2：四通道，隔離電壓2500Vrms；品種3：雙通道，I2C 雙向通訊，隔離電壓2500V@1min；品種4：雙通道，隔離電壓2500Vrms；品種5：SPI接口，速度≥17MHz，隔離電壓≥3750Vrms。	略
88	1905WJ0014-軍用寬帶頻率合成器系列	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1：射頻輸入頻率范圍0.5～12GHz，小數(shù)分頻器位數(shù)不低于24bit；品種2：射頻小數(shù)頻率合成器，頻率范圍0.0625～10GHz，小數(shù)分頻器位數(shù)不低于24bit。	略
89	1905WJ0015-雙環(huán)低抖動時鐘產(chǎn)生電路	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1：提供 14 路獨立的低噪聲可配置分頻比輸出通路，最多可產(chǎn)生7對DCLK和SYSREF時鐘，輸入時鐘頻率范圍：500MHz～6GHz；集成鎖相環(huán)2中VCO頻率范圍：2.4GHz～3.2GHz；品種2：雙PLL，最高輸出頻率：3.2GHz；支持107.52MHz和122.88MHz輸出。	略
90	1905WJ0016-高性能升壓型DC-DC電源轉換器	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1：異步升壓型DC-DC電源轉換器，輸入電壓1.8V-6V，輸出最高電壓38V。品種2：升壓型DC-DC電源轉換器，輸入電壓1.5～5V，輸出電壓5V，輸出電流600mA。	略
91	1905WJ0017-高性能低壓差穩(wěn)壓電路	電子元器件	共7個品種，產(chǎn)品指標：品種1：輸入范圍1.25V到16V；可以保證3A電流的輸出，可調(diào)節(jié)電壓可以低至0.8V；品種2：輸入輸出可調(diào)，2.5V至5.5V輸入，800mV至5V/1A輸出；品種3：2.5V至5.5V輸入，輸出電壓范圍0.75V--3.3V；品種4：1路輸出，輸出電壓1.2V～5.5V；輸出電流1A，輸入電壓2.7V～5.5V；品種5：輸出電壓可調(diào)、含使能功能，輸出電壓1.4V～-34V；最大輸入電壓36V；品種6：輸入電壓范圍：4V-40V；低功耗：28uA在休眠模式，1uA在關斷模式，2.1MHzSWITCHING，600mA的輸出能力；品種7：輸入電壓：5.6V-40V；輸出電壓典型值：5V，輸出電流150mA。	略
92	1905WJ0018-超高速時分多路交織A/D轉換器	電子元器件	共1個品種,產(chǎn)品指標：用于超寬帶數(shù)字示波器的8位 32GSPS A/D轉換器，片內(nèi)集成可配置的數(shù)字下變頻模塊，可設置多種抽取倍數(shù)以適應超寬帶數(shù)字示波器系統(tǒng)的需求。	略
93	1905WJ0019-軍用低延遲高速高性能數(shù)據(jù)轉換器系列	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：低延遲雙通道12位1.5GSPS A/D轉換器；通道數(shù)：2個；分辨率：12位；AD最高更新速率：1.5Gbps；品種2：低延遲12位3GSPS D/A轉換器；產(chǎn)品性能指標：通道數(shù)：1個；分辨率：12位；DA最高更新速率：3GSPS。	略
94	1905WJ0020-寬帶高速高精度模數(shù)轉換器系列	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：寬帶12位4GSPS A/D轉換器；帶寬大于等于3GHz；分辨率：12bits；最高采樣率：4GSPS；品種2：寬帶雙通道、12位3.2GSPS A/D轉換器；帶寬大于等于6GHz；分辨率：12bits；通道數(shù)：2個；單通道最高采樣率：3.2GSPS。	略
95	1905WJ0021-軍用高速高精度數(shù)據(jù)轉換器	電子元器件	共2個品種,產(chǎn)品指標：品種1：分辨率：16位；采樣率：1GSPS；通道數(shù)：2；3.電源電壓：1.9/3.0（典型）；品種2：雙通道12GHz16位RFDAC/DDS；最高工作頻率：12GHz；集成通道數(shù):2；DAC內(nèi)核位寬：16；NCO頻率字位寬：48位；NCO相位字位寬：16位。	略
96	1905WQ0001-1200V碳化硅MOSFET功率模塊	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標： PD=1500W，ID=444A，VDSS≥1200V；RDS(on)≤4.3mΩ；半橋結構。	略
97	1905WQ0002-快恢復整流二極管	電子元器件	共6個品種，產(chǎn)品指標：品種1：工作電壓VRWM：50V；品種2：工作電壓VRWM：100V；品種3：工作電壓VRWM：200V；品種4：工作電壓VRWM：400V；品種5：工作電壓VRWM：500V；品種6：工作電壓VRWM：600V。正向電流IFM：3A；浪涌電流 IFSM：30A；正向壓降VF≤1.3V；電容Ctot≤60pF；靜電指標：4000V；封裝：金屬陶瓷表面貼裝	略
98	1905WQ0003-低損耗肖特基二極管	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：最大正向連續(xù)電流：20A；峰值反向重復電壓：45V；最大正向電壓降：0.58V；正向電流5A時，正向電壓降0.3V（典型值）。	略
99	1905WQ0004-功率MOS	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1：VDSS=60V；RDS(ON)max=11mΩ；Qg=14nC；ID=50A；品種2：VDSS=60V；RDS(ON)max=17.8mΩ；Qg=24nC；ID=10A；品種3：VDSS=30V；ID=30A；RDS(ON)max=8mΩ；Qg=24nC；品種4：VDSS=30V；ID=80A；RDS(ON)max=4mΩ；Qg=38nC。	略
100	1905WQ0005-高壓功率MOS	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：VDSS=1000V；ID=36A；RDS(ON)max=0.24Ω；品種2：VDSS=800V；ID=17A；RDS(ON)max=600mΩ。	略
101	1905WQ0006-超結功率MOS	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標： VDSS=600V；ID=94A；RDS(ON)max=0.035Ω；Qg=38nC	略
102	1905WQ0007-射頻場效應管	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標： Pout=300W；Gain=14dB；VDSS=65V；ID=32A；TJ=200℃；	略
103	1905WQ0008-600V IGBT功率模塊	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：集電極-發(fā)射極電壓：600V；連續(xù)漏極電流：151A；品種2：集電極-發(fā)射極電壓：600V；連續(xù)漏極電流：600A；	略
104	1905WQ0009-600V IGBT智能功率模塊IPM	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：集電極-發(fā)射極電壓：600V；連續(xù)漏極電流：75A；品種2：集電極-發(fā)射極電壓：600V；連續(xù)漏極電流：50A；品種3：集電極-發(fā)射極電壓：600V；連續(xù)漏極電流：30A；	略
105	1905WQ0010-1200V IGBT功率模塊	電子元器件	共5個品種，產(chǎn)品指標：品種1：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：1200A；品種2：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：450A；品種3：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：400A；品種4：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：125A；品種5：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：50A。	略
106	1905WQ0011-1200V IGBT智能功率模塊IPM	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：150A；品種2：集電極-發(fā)射極電壓：1200V；連續(xù)漏極電流：300A。	略
107	1905WQ0012-1700V IGBT功率模塊	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：集電極-發(fā)射極電壓：1700V；連續(xù)漏極電流：3600A；品種2：集電極-發(fā)射極電壓：1700V；連續(xù)漏極電流：650A；品種3：集電極-發(fā)射極電壓：1700V；連續(xù)漏極電流：300A。	略
108	1905WG0001-銦鎵砷短波紅外探測器組件	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：規(guī)格：1280×1024；像元中心距：≤12um；工作波長：0.9μm～1.7μm；非均勻性：≤6%；峰值量子效率≥65%；數(shù)據(jù)位≥14bit；動態(tài)范圍≥80dB；幀頻≥50Hz。	略
109	1905WG0002-高隔離電壓低速光電耦合器	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1：2500Vrms隔離電壓四通道表貼光電耦合器；正向電流：50mA；最大集電極發(fā)射極電壓80V；品種2：2500Vrms隔離電壓單通道表貼光電耦合器；正向電流：50mA；最大集電極發(fā)射極電壓80V；品種3：3750Vrms隔離電壓單通道表貼光電耦合器；電流輸出比最小值80%5mA；電流輸出比最大值600%5mA；品種4：5300Vrms隔離電壓雙通道直插光電耦合器；電流輸出比最小值80%5mA；電流輸出比最大值600%5mA。	略
110	1905WG0003-低輸入電流光電隔離開關	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：100V 0.8A貼片式光電隔離開關；輸出耐壓：≥90V；導通電阻（A連接）：≤1Ω；導通電阻（B連接）：≤0.25Ω；輸入正向電壓：≤1.7V；抗總劑量≥50krad（Si）；品種2：50V 0.3A直插式光電隔離開關；隔離電壓AC 1500V；輸出耐壓40V；最大導電流1A；最大導通電阻0.2Ω；Ton/Toff<3ms。	略
111	1905WG0004-高速集成電路輸出型光電耦合器	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：1Mbit/s高速OC輸出光電耦合器；隔離電壓3750Vrms；CTR>25%；供電電壓15V；品種2：10Mbit/s高速OC輸出光電耦合器；最小隔離電壓AC 5000V；共模瞬態(tài)抑制：10KV/us；電壓輸出范圍直流4.5V～7V；最大輸出電流50mA；品種3：15Mbit/s 高速OC輸出光電耦合器；最小隔離電壓AC 3750V；共模瞬態(tài)抑制：15KV/us；電壓輸出范圍直流2.7V～3.6V；最大輸出電流25mA；	略
112	1905WG0005-高功率1064nm聲光調(diào)制器	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：工作波長：1.06±0.02μm；承受激光功率：50W；有效通光口徑：≥Φ3mm；衍射效率：≥90%；光脈沖上升時間：≤200ns；通斷消光比：≥500:1。	略
113	1905WG0006-低半波電壓1064nm鈮酸鋰相位調(diào)制器	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：工作波長：1064nm±20nm；最大輸入光功率：≥100mW@1064nm；插入損耗：≤3.0dB；尾纖偏振串音：≤20dB；半波電壓@50kHz：≤2.1V；帶寬：20GHz；RF連接器：SMA（female）。	略
114	1905WG0007-高峰值功率微型人眼安全激光模組	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：激光波長：1.5um；工作頻率：≥5Hz；脈沖寬度：≥3ns；峰值功率：≥80kW；光束質(zhì)量：M²≤1.5。	略
115	1905WH0001-非隔離微模塊電源	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1：1.輸入電壓4.5V-20V；2.輸出電壓0.6V-5.6V；3.輸出電流20A,并聯(lián)可至80A；4.效率88%5.BGA封裝。品種2：1.輸入電壓4.75V-28V；2.輸出電壓V1、2：0.8V-5.5V,輸出電壓V3：0.8V-13.5V；3.輸出電流5A、5A、4A；4.BGA封裝；品種3：1.輸入電壓5V-58V；2.輸出電壓1.2V-48V；3.輸出電流1.7A-5.4A；4.BGA封裝；品種4：1.輸入電壓2.8V-18V；2.輸出電壓2.5V-15V/-2.5V--15；3.輸出電流0.35mA.4.BGA封裝。	略
116	1905WH0002-高功率密度厚膜DC/DC變換器	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：1.輸入電壓范圍:16V～50V；2.輸出功率:50W；3.輸出電壓：3.3V；4.輸出電流：15.15A；5.效率：≥84%。品種2：1.輸入電壓范圍:16V～50V；2.輸出功率:50W；3.輸出電壓：5V；4.輸出電流：10A；5.效率：≥85%；品種3：1.輸入電壓范圍:16V～50V；2.輸出功率:50W；3.輸出電壓：15V；4.輸出電流：3.33A；5.效率：≥88%；	略
117	1905WH0003-大功率輸出磁隔離厚膜DC/DC變換器	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：1、輸入電壓范圍:16V～40V；2.輸出功率:100W；3.輸出電壓：15V；4.輸出電流：6.67A；5.效率：≥86%；品種2：1.輸入電壓范圍:16V～40V；2.輸出功率:100W；3.輸出電壓：28V；4.輸出電流：3.57A；5.效率：≥85%；	略
118	1905WH0004-隔離型1W小功率小體積DC/DC變換器	電子元器件	共5個品種，產(chǎn)品指標：品種1：1、輸入電壓范圍:5V；2.輸出功率:1W；3.輸出電壓：3.3V；4.輸出電流：0.3A；品種2：1、輸入電壓范圍:5V；2.輸出功率:1W；3.輸出電壓：5V；4.輸出電流：0.2A；品種3：1、輸入電壓范圍:5V；2.輸出功率:1W；3.輸出電壓：5V；4.輸出電流：0.2A；品種4：1、輸入電壓范圍:12V；2.輸出功率:1W；3.輸出電壓：3.3V；4.輸出電流：0.39A；品種5：1、輸入電壓范圍:12V；2.輸出功率:1W；3.輸出電壓：5V；4.輸出電流：0.2A；	略
119	1905WH0005-浪涌抑制器	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：額定輸入電壓：28V,瞬態(tài)輸入電壓：50V（1S）,100V(100mS）,600V(10uS)；輸出最大電壓：40V；輸出電流：10A；最大直流電阻：120mΩ；噪聲抑制：≥60dB(500kHz)；絕緣電阻（輸入、輸出-殼體）：≥100MΩ（1500VDC ）；品種2：輸入電壓：9～40V，瞬態(tài)輸入電壓：50V（1S）,100V(50mS),600V(10uS)；輸出最大電壓：40V；最大直流電阻：120mΩ；絕緣電阻（輸入、輸出-殼體）：≥100MΩ（500VDC ）。	略
120	1905WH0006-三通道高精度I/F轉換器	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：測量范圍：±48.5mA及以下；全溫零偏值：≤20nA；零偏一次通電穩(wěn)定性(1σ)：≤2nA；零偏月重復性(1σ)：≤2nA；標度因數(shù)：≥6500pulses/s/mA；品種2：測量范圍：±80mA及以下；功耗：≤2W；體積：64mm×50mm×8mm(不包括安裝法蘭)；全溫零偏值：≤100nA；零偏一次通電穩(wěn)定性(1σ)：≤3nA；零偏月重復性(1σ)：≤10nA；標度因數(shù)：≥3000pulses/s/mA。	略
121	1905WH0007-高壓直流無刷電機驅(qū)動器系列	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標品種1：工作電壓范圍160V～400V,輸出電流：5A（限流值11～15A），導通壓降：≤1.0V；控制電壓：15V；靜態(tài)電流≤100mA；尺寸：(66×35×10)mm；ESD：2000V；品種2：工作電壓范圍160V～400V,輸出電流：20A（限流值41～48A），導通壓降：≤2.0V；控制電壓：15V；靜態(tài)電流≤100mA；尺寸：(66×50×10)mm；ESD：2000V；品種3：工作電壓范圍160V～400V,輸出電流：30A（限流值61～68A），導通壓降：≤3.0V；控制電壓：15V；靜態(tài)電流≤100mA；尺寸：(78×40×10)mm。 ESD：2000V；	略
122	1905WH0008-電機、功率MOSFET控制/驅(qū)動器	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：電源電壓：10V-30V ；電源電流Icc：12mA ；基準電壓：6.24V；振蕩頻率：25KHz。品種2：電源電壓：4.5-25V；峰值驅(qū)動電流：2A；持續(xù)驅(qū)動電流：1A。	略
123	1905WZ0001-永磁交流伺服電機組件	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：55電機：包含55電機本體和滾柱絲杠。55電機本體指標：額定電壓160VDC，工作點1：轉矩1.5N.m，工作轉速≥10500rpm；工作點2：轉矩2.5N.m，工作轉速≥10000rpm；電機最大轉矩≥5N.m；品種2：80電機：包含80電機本體、行星減速器和滾柱絲杠。80電機本體指標：額定電壓220VDC，工作點1：額定轉矩:4.8N.m，額定轉速≥14800rpm；工作點2：額定轉矩8.4N.m，額定轉速≥12000rpm。	略
124	1905WZ0002-高可靠電磁斷路器	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1：級數(shù)：一級；額定電流：15A；分斷能力：20ln；額定電壓：125VDC；介質(zhì)耐電壓：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms；絕緣電阻：100MΩ；接觸電阻：1mΩ；品種2：級數(shù)：二級；額定電流：20A；分斷能力：20ln；額定電壓：125VDC；介質(zhì)耐電壓：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms；絕緣電阻：100MΩ；接觸電阻：1mΩ；品種3：級數(shù)：三級；額定電流：2A；分斷能力：20ln；額定電壓：125VDC；介質(zhì)耐電壓：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms絕緣電阻：100MΩ；接觸電阻：1mΩ；品種4：級數(shù)：三級；額定電流：35A；分斷能力：20ln；額定電壓：125VDC；介質(zhì)耐電壓：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms絕緣電阻：100MΩ；接觸電阻：1mΩ。	略
125	1905WZ0003-宇航用小型同軸微波開關	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：SPDT(單刀雙擲)SMA型開關工作頻段：DC～22GHz：駐波比：≤1.33；插入損耗≤0.35dB；隔離度≥65dB；重量≤62g；品種2：DPDT(雙刀雙擲)SMA型開關工作頻段：DC～22GHz：駐波比：≤1.33；插入損耗≤0.50dB；隔離度≥65dB；重量≤55g；品種3：DP3T(雙刀三擲)SMA型開關工作頻段：DC～22GHz：駐波比：≤1.33；插入損耗≤0.35dB；隔離度≥65dB；重量≤125g。	略
126	1905WZ0004-抗浪涌微小型電磁繼電器	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：JMW－270M型磁保持繼電器；動作時間≤2.0ms；觸點穩(wěn)定時間≤2.5ms；品種2：JRW-210M型微型密封直流電磁繼電器；動作時間≤2.0ms，釋放時間≤1.5ms；觸點穩(wěn)定時間≤2.0ms；品種3：JRW-220M型微型密封直流電磁繼電器；動作時間≤2.0ms，釋放時間≤1.5ms；觸點穩(wěn)定時間≤2.0ms。	略
127	1905WZ0005-ZL27大功率射頻同軸連接器	電子元器件	共5個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種5：品種規(guī)格：接電纜型連接器ZL27-J；微帶連接器：ZL27-KFD，ZL27-JFD；轉接器：ZL27/TNC，ZL27/SMA；頻率范圍：1.1GHz～1.3GHz；電壓駐波比（VSWR）：≤1.1；介質(zhì)耐電壓：3000 V；	略
128	1905WZ0006-高密度、高速率、開放式印制板連接器	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種4：10排X40芯，插合高度：8、9、11.5mm；8排X20芯，插合高度12.5mm；額定電流：2A；接觸電阻：≤20mΩ；絕緣電阻：≥10MΩ(常溫條件下)；耐電壓：500V(常溫條件下)；傳輸速率：20Gbps。	略
129	1905WZ0007-空間站太陽電池翼板間柔性互聯(lián)扁平電纜	電子元器件	共7個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種7：產(chǎn)品規(guī)格：0.2mm10線0.5m；0.2mm16線0.5m；0.2mm16線10m-30m；0.2mm40線0.5m；0.4mm10線0.5m；0.4mm16線10m-30m；0.4mm38線10m-30m；扁平電纜原子氧防護性能，滿足7.83×1026/m2防護要求；扁平電纜具有展開收攏功能，展開收攏力矩0.01N.m～0.4N.m；扁平電纜厚度：0.2mm（單線）、0.4mm（雙線），單次折疊最大收攏厚度小于2mm；扁平電纜單線載流：7A（重量不大于6g/m/線）、2.5A（重量不大于1.5g/m/線）；扁平電纜展開結構疲勞性能：不低于105次（位移量±3mm）；扁平電纜耐磨性能：15kpa，位移量大于24m。 7A線路電阻不高于0.036Ω/m（20℃）；2.5A線路電阻不高于0.15Ω/m（20℃）。	略
130	1905WZ0008-空間用高比能長壽命鋰離子蓄電池	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種3：單體容量：30Ah（LEO軌道）、45Ah（LEO軌道）、50Ah（GEO軌道）；單體比能量：≥190Wh/kg（LEO軌道），≥210Wh/kg（GEO軌道）；單體循環(huán)壽命：≥44000～55000次（LEO軌道），≥1080～1350（GEO軌道）。	略
131	1905WZ0009-空間用高功率長壽命鋰離子蓄電池	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種2：單體容量：3Ah、8Ah；單體比能量：≥90Wh/kg，放電倍率：30C～50C，在軌壽命：≥5年，循環(huán)壽命：≥100次。	略
132	1905WZ0010-電動力魚雷用鋁氧化銀電池	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：主要功能：為電動力魚雷動力系統(tǒng)、聲吶系統(tǒng)和儀表系統(tǒng)提供直流電源。性能參數(shù)：工作電壓374V±25V；工作電流280A±30A；工作時間≥10min；額定容量50Ah；激活時間≤10s；重量≤145kg。品種2：主要功能：為電動力魚雷動力系統(tǒng)、聲吶系統(tǒng)和儀表系統(tǒng)提供直流電源。性能參數(shù)：工作電壓374V±25V；工作電流830A±30A；工作時間≥15min；額定容量212.5Ah；激活時間≤10s；重量≤685kg。	略
133	1905WZ0011-耐高溫長工作時間熱電池	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：工作溫度：-50℃～+450℃；比能量：≥80Wh/kg；激活方式：電激活；激活時間：≤1s；品種1：工作電壓：42-68V，工作電流：穩(wěn)態(tài)3A，脈沖60A，工作時間1800s；品種2：工作電壓：70-100V，工作電流：穩(wěn)態(tài)13A，脈沖60A，工作時間1800s；品種3：工作電壓：220-320V，工作電流：穩(wěn)態(tài)5A，脈沖60A，工作時間2600s。	略
134	1905WZ0012-彈用鋰原電池	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：5BU15電池組容量:15Ah,工作電壓:10-20V,比能量≥350Wh/kg(50A放電30s后按15A放電至10V) 品種2：16BU20電池組容量:20Ah,工作電壓:32-62V,比能量≥330Wh/kg(2500W放電45s后按1000W放電至32V)。	略
135	1905WZ0013-空間用長壽命高效薄膜砷化鎵太陽電池	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1：效率不小于32%（AM0光譜）；面積8cm2；彎曲半徑小于5cm；砷化鎵薄膜太陽電池（未封裝的單體）厚度不大于50μm；品種2：效率不小于32%（AM0光譜）；面積12cm2；彎曲半徑小于5cm；砷化鎵薄膜太陽電池（未封裝的單體）厚度不大于50μm；品種3：效率不小于32%（AM0光譜）；面積24cm2；彎曲半徑小于5cm；砷化鎵薄膜太陽電池（未封裝的單體）厚度不大于50μm；品種4：效率不小于32%（AM0光譜）；面積32cm2；彎曲半徑小于5cm；砷化鎵薄膜太陽電池（未封裝的單體）厚度不大于50μm。	略
136	1905WY0001-霍爾效應線性電流傳感器	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：LCB-PFF，陶瓷；Vcc:最大16V ；額定工作電壓5V；電流輸入范圍: -100A～100A；隔離電壓3kV，非線性度不大于±1.25％；品種2：量程100A；輸出精度40mv/A；內(nèi)阻100微歐，典型工作電壓5v。	略
137	1905WY0002-差壓/壓力傳感器芯體	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：差壓型芯體：量程7bar、21bar差壓，非線性0.1%，2倍過壓，3倍爆破壓力，重量不大于20g，10V供電，全量程輸出0-100mv；品種2：壓力型芯體：壓力量程17Bar、70bar，非線性0.1%，2倍過壓，重量不大于5克，10V供電，全量程輸出0-100mv。	略
138	1905WY0003-耐高溫滑油液位傳感器	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種3：主要功能描述：用于實現(xiàn)在高溫環(huán)境下的發(fā)動機滑油液位測量。測量精度：5%FS；測量介質(zhì)溫度：≮240℃；量程指標：0-200mm,0-280mm,0-420mm。	略
139	1905WY0004-高精度燃油液位傳感器	電子元器件	共2個品種，產(chǎn)品指標：品種1：量程：35m；精度：±2mm；重復性：1mm；發(fā)射角：10°；過程溫度：-40～200°C；過程壓力：-1～16bar；輸出：4～20mA/HART；天線型式：PTFE密封天線；防護等級：IP68（0.2bar）。品種2：量程：1.8m~2.9m；介電常數(shù)：εr ≥ 1.6；精度：±2mm；重復性：±1mm；盲區(qū)：頂部100mm，底部50mm；輸出形式：4－20mA/HART；過程溫度：-40 -+150 °C；過程壓力：-1 … +40 bar；防護等級：IP68 (0.2 bar)。	略
140	1905WY0005-多功能溫濕度傳感器	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：主要功能描述：產(chǎn)品是一種測量溫度、濕度、露點及霜點的多功能氣象傳感器。通訊接口：RS232；溫度測量范圍：-50℃～100℃；濕度測量范圍：0~100%RH ；溫度精度：0.1℃ ；濕度精度：0.8%RH ；	略
141	1905WY0006-溫鹽深傳感器	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：耐壓：3MPa；采樣頻率：1.83-4.5Hz；溫度測量范圍：-2～32℃；電導率測量范圍：0-70ms/cm；壓力測量范圍：0～3MPa；溫度精度：±0.002℃；電導率精度：±0.009ms/cm；壓力精度：±0.1%滿量程；通信接口RS232；工作電壓DC12V。	略
142	1905WY0007-壓力變送器	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：量程：-2kPa～15kPa，表壓； 0kPa～1000kPa，表壓；0kPa～1000kPa，絕壓；0kPa～105kPa，表壓；2kPa～120kPa，絕壓；精度：0.05%F.S（-55℃～70℃）；工作電流：≤200mA；使用高度范圍：0km～25km；上電時間：≤20ms；	略
143	1905WY0008-旋轉彈無驅(qū)動結構微機械陀螺	電子元器件	共3個品種，產(chǎn)品指標：品種1：測量范圍：自旋1～15r/s，俯仰/偏航150°/s；零偏：≤0.5°/s；零偏穩(wěn)定性：10°/h；分辨率：0.001°/s；非線性度：≤0.5%FS；品種2：測量范圍：自旋1～10r/s，俯仰/偏航180°/s；零偏：≤0.5°/s；零偏穩(wěn)定性：10°/h；分辨率：0.001°/s；非線性度：≤0.5%FS；品種3：測量范圍：自旋1～5r/s，俯仰/偏航300°/s；零偏：≤0.5°/s；零偏穩(wěn)定性：10°/h；分辨率：0.001°/s；非線性度：≤0.5%FS。	略
144	1905WY0009-小型慣性測量器件	電子元器件	共1個品種，產(chǎn)品指標：供電電壓：5V±0.25V；角速度：測量范圍：±400°/s；零偏穩(wěn)定性：0.3°/h；非線性：50ppm；角度隨機游走：0.15°/√h；帶寬：100Hz；加速度：測量范圍：±10g；零偏穩(wěn)定性：0.05mg；分辨率：5ug。	略
145	1905WY0010-板式陣列電感器	電子元器件	共4個品種，產(chǎn)品指標：品種1：初始磁導率μ≥1000；工作電壓：200V；介質(zhì)耐壓：600V；絕緣電阻：≥10GΩ；電感量（μH）：BE25:≥0.25；品種2：初始磁導率μ≥1000；工作電壓：200V；介質(zhì)耐壓：600V；絕緣電阻：≥10GΩ；電感量（μH）：BK1538:≥0.4；品種3：初始磁導率μ≥1000；工作電壓：200V；介質(zhì)耐壓：600V；絕緣電阻：≥10GΩ；電感量（μH）：BA1135:≥0.6；品種4：初始磁導率μ≥1000；工作電壓：200V；介質(zhì)耐壓：600V；絕緣電阻：≥10GΩ；電感量（μH）：BD2412:≥0.35。	略
146	1905WY0011-高溫片式薄膜固定電阻器	電子元器件	共5個品種，產(chǎn)品指標：品種1～品種5：主要功能描述：主要應用于高溫傳感器處理系統(tǒng)中，滿足較高溫度環(huán)境下，精密電信號的采集用。阻值范圍（@25℃）：RMK1005HT：10Ω～4.7KΩ，RMK1608HT：10Ω～50KΩ、RMK2012HT：10Ω～100KΩ、RMK3216HT：10Ω～200KΩ、RMK5025HT：10Ω～300KΩ；額定功率（@215℃）：RMK1005HT：0.0189W，RMK1608HT：0.0375W、RMK2012HT：0.06W、RMK3216HT：0.1W、RMK5025HT：0.2W；極限電壓：RMK1005HT：50V，RMK1608HT：75V、RMK2012HT：150V、RMK3216HT：200V、RMK5025HT：300V；	略
147	1905WY0012-片式壓敏電阻器	電子元器件	共8個品種，產(chǎn)品指標：主要功能描述：主要起過電壓保護、抑制浪涌電流等作用。品種1、品種2：工作電壓:9V/18V；壓敏電壓：12V±15%/24V±10%；峰值電流：≥30A；品種3、品種4：工作電壓:11V/22V；壓敏電壓：15V±15%/30V±10%；峰值電流：≥120A；品種5、品種6：工作電壓:26V/38V；壓敏電壓：33V±10%/47V±10%；峰值電流：≥200A；品種7、品種8：工作電壓:38V/56V；壓敏電壓：47V±10%/68V±10%；峰值電流：≥250A；漏電流：≤30μA。	略
148	1905WY0013-內(nèi)在保險絲導電聚合物片式鉭電容器	電子元器件	共5個品種，產(chǎn)品指標：額定電壓：10V～50V；標稱電容量：47μF～470μF；標稱電容量允許偏差：±10%； CAK55Y型：品種1：16V-330μF；品種2：20V-220μF；品種3：25V-150μF；品種4：35V-68μF；品種5：V-47μF。	略
149	1905WW0001-高功率微波防護限幅器系列	電子元器件	共3個品種，主要指標：品種1：工作頻率：0.03～2GHz；耐功率（Ta=25℃）≥1000W(脈寬10us，1%），≥30W（CW)；插入損耗≤1.4dB@0.03～2GHz；限幅輸出功率≤15dBm@45dBm；輸入輸出駐波≤1.5；品種2：工作頻率：2～6GHz；耐功率（Ta=25℃）≥1000W(脈寬10us，1%）≥30W（CW)；插入損耗≤1.7dB@2～6GHz；限幅輸出功率≤15dBm@45dBm；輸入輸出駐波≤1.5；品種3：工作頻率：6～18GHz；耐功率（Ta=25℃）≥1000W(脈寬10us，1%），≥30W（CW)；插入損耗≤2.2dB@6～18GHz；限幅輸出功率≤15dBm@45dBm；輸入輸出駐波≤1.5。	略
150	1905WW0002-微波毫米波溫度補償衰減器芯片系列	電子元器件	共3個品種，主要指標： ●工作頻率:DC-20GHz；衰減量@1GHz@25℃：2-7dB；衰減精度:±0.5dB；溫度系數(shù)：N3-N9；駐波比：≤1.3；額定功率0.2W。 ●工作頻率:16-36GHz；衰減量@1GHz@25℃：2-6dB；衰減精度:±1.0dB；溫度系數(shù)：N5-N7；駐波比：≤1.35；額定功率0.1W。 ●工作頻率:20-40GHz；衰減量@1GHz@25℃：2-6dB；衰減精度:±1.0dB；溫度系數(shù)：N5-N7；駐波比：≤1.35；額定功率0.1W。	略
151	1905WW0003-超寬帶微波/毫米波噪聲二極管系列	電子元器件	共3個品種，主要指標：品種1：工作頻率：75GHz～110GHz；工作電壓：10～12V；工作電流：小于40mA；特征阻抗：50Ω；輸出ENR：不小于15dB；輸出形式：裸片表貼或梁氏引線封裝，尺寸不大于3mm×3mm。品種2：工作頻率：18GHz～110GHz；工作電壓：10～12V；工作電流：小于40mA；特征阻抗：50Ω；輸出ENR：不小于15dB；輸出形式：裸片表貼或梁氏引線封裝，尺寸不大于3mm×3mm。品種3：工作頻率：1GHz～110GHz；工作電壓：10～12V；工作電流：小于40mA；特征阻抗：50Ω；輸出ENR：不小于15dB；輸出形式：裸片表貼或梁氏引線封裝，尺寸不大于3mm×3mm。	略
152	1905WW0004-InP高頻超寬帶分頻器	電子元器件	共2個品種，主要指標（25℃典型值）：品種1：頻率范圍：4GHz～50GHz；分頻比：2；輸入功率范圍：-10dBm～+5dBm@40GHz；輸出功率范圍≥-6dBm@40GHz；SSB相位噪聲≤-130dBc/Hz@100kHz、30GHz輸入；直流功耗≤500mW；品種2：頻率范圍：26GHz～67GHz；分頻比：2；輸入功率范圍：-5dBm～+5dBm@50GHz；輸出功率范圍≥-10dBm@60GHz； SSB相位噪聲：≤-130dBc/Hz@100kHz、30GHz輸入；直流功耗≤900mW。	略
153	1905WW0005-0.3-110GHz儀表用功率放大器芯片	電子元器件	共6個品種，主要指標：品種1：頻率：0.3～6GHz；輸出功率：30W；線性增益：25dB；效率：35%。品種2：頻率：6～18GHz；輸出功率：20W；線性增益：25dB；效率：20%。品種3：頻率：40～67GHz；輸出功率：2.5W；線性增益：18dB；效率：17%。品種4：頻率：50～75GHz；輸出功率：2W；線性增益：17dB；效率：16%。品種5：頻率：60～90GHz；輸出功率：1.5W；線性增益：15dB；效率：15%。品種6：頻率：75～110GHz；輸出功率：1W；線性增益：12dB；效率：10%。	略
154	1905WW0006-超寬帶超平坦極低噪聲放大器	電子元器件	共3個品種，主要指標：品種1：工作頻率：0.38～2GHz；噪聲系數(shù)（全頻帶）≤1.4dB；增益（全頻帶）≥30±0.5dB（常溫），≥29.1±1.2dB（高溫）；帶內(nèi)平坦度：±0.3dB（每0.3GHz帶寬內(nèi)）；輸入P-1≥－25dBm；輸出P-1≥＋23dBm；功耗≤150mA（＋5±0.2V）或≤60mA（＋12±0.2V）；駐波≤1.8。品種2：工作頻率：2～8GHz；噪聲系數(shù)（全頻帶）≤1.5dB；增益（全頻帶）≥31±0.7dB，≥30±1.5dB（高溫）；帶內(nèi)平坦度：±0.5dB（每1GHz帶寬內(nèi)）；輸入P-1≥－25dBm；輸出P-1≥＋23dBm；功耗≤150mA（＋5±0.2V）或≤60mA（＋12±0.2V）；駐波≤1.8。品種3：工作頻率：8～18GHz；噪聲系數(shù)（全頻帶）≤2.2dB；增益（全頻帶）≥34±0.7dB，≥35±1.5dB（高溫）；帶內(nèi)平坦度：±0.5dB（每1GHz帶寬內(nèi)）；輸入P-1≥－25dBm；輸出P-1≥＋20dBm；功耗≤240mA（＋5±0.2V）或≤100mA（＋12±0.2V）；駐波≤1.8。	略
155	1905WW0007-集成譯碼和驅(qū)動單刀多擲開關芯片系列	電子元器件	共4個品種，主要指標：品種1：0.1～12GHz SP4T開關芯片：頻率范圍：0.1-12GHz；插入損耗＜2.5dB；隔離度＞40dB；典型回波損耗：15dB；輸入P-1dB＞18dBm（12GHz）；開關時間＜50nS；工作電壓：-5V；-5/0V TTL控制，集成2-4 譯碼器、驅(qū)動器。品種2：0.1～18GHz SP4T開關芯片：頻率范圍：0.1-18GHz；插入損耗＜3.0dB；隔離度＞36dB；典型回波損耗：15dB；輸入P-1dB＞18dBm（18GHz）；開關時間＜50nS；工作電壓：-5V；-5/0V TTL控制，集成2-4 譯碼器、驅(qū)動器。品種3：0.1～8GHz SP8T開關芯片：頻率范圍：0.1-8GHz；插入損耗＜3.0dB；隔離度＞40dB；典型回波損耗：14dB；輸入P-1dB＞25dBm（8GHz）；開關時間：＜50nS；工作電壓：-5V；-5/0V TTL控制，集成3-8 譯碼器、驅(qū)動器。品種4：0.1～12GHz SP8T開關芯片：頻率范圍：0.1-12GHz；插入損耗＜3.5dB；隔離度＞36dB；典型回波損耗：14dB；輸入P-1dB＞25dBm（12GHz）；開關時間＜50nS；工作電壓：-5V；-5/0V TTL控制，集成3-8 譯碼器、驅(qū)動器。	略
156	1905WW0008-毫米波硅基多通道收發(fā)芯片系列	電子元器件	共2個品種，主要指標：品種1：基于CMOS工藝，集成了4個通道的發(fā)射功放、低噪放、移相器等模擬電路以及SPI接口轉換電路，以高效率為設計目標。主要參數(shù)：頻率32G～37G；發(fā)射輸出功率17dBm；發(fā)射效率15%；移相位數(shù)：6位；調(diào)幅位數(shù)4位；噪聲系數(shù)6.5dB；品種2：基于CMOS工藝，集成了16個通道的發(fā)射功放、低噪放、移相器等模擬電路以及SPI接口轉換電路，以高效率為設計目標。主要參數(shù)：頻率32G～37G；發(fā)射輸出功率17dBm；發(fā)射效率15%；移相位數(shù)：6位；調(diào)幅位數(shù)4位；噪聲系數(shù)6.5dB。	略
157	1905WW0009-硅基MEMS封裝開關濾波器組件	電子元器件	共4個品種，主要指標：品種1：頻率范圍：6～18GHz；開關濾波通道數(shù)：5；通帶帶寬：4GHz；帶外抑制度（邊帶1GHz處）：40dBc；外形尺寸≤20mm17mm2.5mm；插損≤10dB。品種2：頻率范圍：6～18GHz；開關濾波通道數(shù)：6；通帶帶寬：2GHz；帶外抑制度（邊帶1GHz處）：40dBc；外形尺寸≤20mm17mm2.5mm；插損≤10dB；品種3：頻率范圍：0.8～12GHz；開關濾波通道數(shù)：6；帶外抑制度：30dBc；外形尺寸≤20mm17mm2.5mm；插損≤10dB；品種4：頻率范圍：18～40GHz；開關濾波通道數(shù)：8；帶外抑制度（邊帶1GHz處）：40dBc；外形尺寸≤20mm17mm2.5mm；插損≤10dB。	略
158	1905WW0010-芯片化微波無源器件系列	電子元器件	共4個品種，主要指標：品種1：PCMR濾波器，中心頻率范圍：140MHz；1dB帶寬≥1MHz；帶外抑制≥30dBc@fo±10MHz；功率≤2W。品種2：MMIC濾波器，中頻頻率范圍：35GHz；1dB帶寬≥3GHz；帶外抑制≥40dBc@fo±5GHz；功率≤23dBm。品種3：MEMS環(huán)行器，頻率范圍：32GHz～38GHz；插入損耗≤1dB；隔離度≥15dB；功率≤20W。品種4：MEMS同軸，頻率范圍：100MHz～40GHz；插入損耗≤0.32dB/cm@40GHz；功率：≤5W。	略
159	1905WD0001-6-18GHz大功率脈沖行波管	電子元器件	共1個品種，主要指標：頻率：6-18GHz；功率≥5kW(6-17GHz)、≥4kW(17-18GHz)；工作比：5%；效率≥25%(6-17GHz)；增益：≥30dB；同步電壓≤16kV；冷卻方式：強迫風冷；外形尺寸：≤480mm×100mm×100mm。	略
160	1905WD0002-數(shù)字化相位一致毫米波功率模塊	電子元器件	共1個品種，主要指標：頻率：26.5-40GHz；功率：≥50W；效率：≥25%；相位不一致性：≤±20º；外形：≤280×135×23mm3；輸入：2.4mm；輸出：BJ320；壽命：10000h；具有數(shù)字相位一致度調(diào)整功能。	略
161	2019WR0001-航天用雙電層電容器可靠性保證技術攻關	電子元器件	1.研究雙電層電容器對航天應用環(huán)境的適應性（主要為振動、沖擊等力學條件的影響）	略
162	2019WR0002-導電聚合物鋁電容器可靠性提升工藝技術攻關	電子元器件	1.開展導電聚合物疊層、線繞鋁電容器微觀結構分析和失效物理研究，得出鋁電容器的失效模式與機理，為科學評價與合理應用奠定基礎；	略
163	2019WR0003-軍用厚膜片式電阻器抗硫化工藝技術攻關	電子元器件	1.研究厚膜片式電阻器硫化失效模式及失效機理； 2.軍用厚膜片式電阻器抗硫化工藝優(yōu)化攻關，并在至少2款典型產(chǎn)品中獲得驗證；	略
164	2019WR0004-硅肖特基二極管低反向漏電流工藝技術攻關	電子元器件	1.建立硅肖特基二極管芯片金屬硅化物形成模型，包括金屬勢壘濺射功率、濺射時間、濺射時硅片溫度參數(shù)等； 2.建立肖特基退火工藝模型，包括金屬硅化物退火溫度、時間、氮氣流量、氫氣流量等參數(shù)；	略
165	2019WR0005-高壓快恢復整流二極管軟度因子優(yōu)化工藝技術攻關	電子元器件	1.反向恢復特性與正向壓降參數(shù)匹配性研究；	略
166	2019WR0006-高壓快恢復整流二極管評估及加固技術攻關	電子元器件	1.研究宇航用臺面工藝玻鈍高壓快恢復整流二極管試驗方法；	略
167	2019WR0007-硅基高頻小功率晶體管加固工藝技術攻關	電子元器件	1.基于硅基高頻小功率不同工藝條件下的誘導缺陷形成及演化規(guī)律研究；	略
168	2019WR0008-線纜艙外環(huán)境適應性評價和材料優(yōu)化工藝攻關	電子元器件	1.航天器用線纜艙外應用需求分析，明確線纜艙外應用需求的要素，針對型號應用需求，建立線纜艙外應用可靠性表征指標體系；	略
169	2019WR0009-光通信用半導體激光器加固技術攻關	電子元器件	1.半導體激光器輻射損傷機理及建模；	略
170	2019WR0010-電磁斷路器鎖定可靠性工藝技術攻關	電子元器件	1.對導致國產(chǎn)電磁斷路器鎖定不可靠的故障機理進行匯總和深化分析，找出導致經(jīng)常導致出現(xiàn)電磁斷路器鎖定不可靠的結構、電氣、材料以及控制方面不合理因素，進行優(yōu)化改進；	略
171	2019WR0011-基于氮化鋁陶瓷基片Au凸點倒裝芯片工藝及可靠性技術攻關	電子元器件	1.AIN HTCC基板薄膜金屬化制備技術研究； 2.裸芯片Au凸點Flip Chip工藝技術研究；	略
172	2019WR0012-三維堆疊灌封器件表面互聯(lián)可靠性評價及工藝技術攻關	電子元器件	1.開展塑封器件表面互聯(lián)金屬鍍覆層結合力的量化表征技術，采用微納米尺度壓力、鍍層拉力測試等不同加載形式綜合形成表面互聯(lián)可靠性的量化技術方法	略
173	2019WR0013-基準源、LDO等電源類器件工藝技術攻關	電子元器件	1.通過TCAD仿真軟件，模擬雙極型晶體管的瞬態(tài)效應，分析器件工藝對瞬態(tài)波形的影響，提出可以減緩器件瞬態(tài)效應的技術路線，并進行試驗驗證；	略
174	2019WR0014-X-ETFE導線組件防氟腐蝕貯存工藝技術攻關	電子元器件	1．典型生產(chǎn)廠X-ETFE導線的氟析出動力學研究，摸清氟析出規(guī)律：進行C55導線熱水浸泡試驗，計算氟析出的動力學模型；進行C55導線封閉容器的高溫熱處理試驗，計算氟析出的動力學模型	略
175	2019WR0015-高密度CCGA裝聯(lián)工藝技術攻關	電子元器件	1.宇航用CCGA裝聯(lián)工藝失效模式、失效機理及工藝相關性研究，獲取典型性的CCGA器件特性，明確與裝聯(lián)工藝相關性，開展溫度、振動等熱/力學環(huán)境試驗驗證	略
176	2019WR0016-軍用高倍率長壽命鋰原電池可靠性提升工藝技術攻關	電子元器件	1.彈用高倍率長壽命鋰原電池產(chǎn)品固有可靠性影響因素及其機理研究	略
177	2019WR0017-熱電池在彈上環(huán)境應力條件下的可靠性提升技術攻關	電子元器件	1.熱電池工作狀態(tài)下關鍵材料的物理、化學性能研究，主要包括：隔離層三維結構的穩(wěn)定性分析，正負極材料的反應及分解特性的熱力學和動力學研究；	略
178	2019WR0018-軍用氫質(zhì)子交換膜燃料電池可靠性提升工藝技術攻關	電子元器件	1.研究燃料電池堆的失效機理，建立失效模型； 2.提高電極的材料與結構工藝，滿足-30℃～50℃下的使用要求；	略
179	2019WR0019-集成電路芯片制造工藝可靠性結構表征（TCV）技術研究	電子元器件	1.全面調(diào)研我國自主集成電路工藝線TCV（固有失效機理）實施現(xiàn)狀與存在問題，評估實施能力與水平；	略
180	2019WR0020-直流有刷電機耐復雜力學環(huán)境及長壽命工藝技術攻關	電子元器件	1.通過對電機電刷、換向器、電樞材料技術研究、加工工藝技術攻關，實現(xiàn)導引頭用電機復雜環(huán)境下電刷與換向器長期、穩(wěn)定工作，提升電機耐極端力學環(huán)境能力及長期貯存工作可靠性；	略
181	2019WR0021-超薄鍺單晶拋光片翹曲形貌控制工藝技術攻關	電子元器件	1.鍺片低損傷多線切割技術通過切割溫度和切割速率的優(yōu)化，降低切割表面損傷，降低切割應力，通過變速切割，解決不同切割位置切割力不均的問題，改善鍺片的翹曲形貌；	略
182	2019WR0022-耐海洋環(huán)境復合材料連接器工藝技術攻關	電子元器件	1.復合材料加工工藝技術攻關通過攻關，09、13、17、21、25號殼體等五個品種的外部彎曲力矩、附件螺紋強度、振動等符合GJB599B規(guī)定。主要內(nèi)容包括：根據(jù)產(chǎn)品服役環(huán)境評估優(yōu)化復合材料類型或規(guī)格；仿真、優(yōu)化復合材料連接器殼體結構，提高螺紋連接強度及彎曲扭矩；	略
183	1905WM0001-PIN光電二極管用6英寸超高阻厚層硅外延片	電子元器件	共2個品種。品種1：導電類型：N型；厚度：30μm～50μm；電阻率：≥2000Ω•cm；厚度不均勻性：≤1.5%；品種2：導電類型：P型；厚度：120μm～130μm；電阻率：＞1000 Ω•cm；厚度不均勻性：≤3%；	略
184	1905WM0002-InGaAs/InP雪崩光電二極管（APD）材料	電子元器件	共1個品種。外延片尺寸：3英寸，InP本底濃度＜5×1014cm-3，InP薄膜遷移率（室溫）＞4000cm2/V.s， InGaAs本底濃度＜8×1014cm-3，InGaAs薄膜遷移率（室溫）＞10000cm2/V.s	略
185	1905WM0004-直徑125μm單偏振光纖	電子元器件	共1個品種。工作波長： 1053nm，光譜帶寬：≥120nm，消光比：≥30dB/5m，損耗：≤0.01dB/m，包層直徑：125±2μm	略
186	1905WM0005-6英寸超薄鍺襯底材料	電子元器件	共1個品種。 P型，晶向：＜100＞偏（111）9°±0.5°，電阻率：（0.001～0.05）Ω•cm，電阻率不均勻性：≤10%，位錯密度：≤500個/cm2，晶片厚度：（250±15）μm，機械強度：≥3磅，TTV：≤8μm；	略
187	1905WM0006-鉻基金屬氧化物電池材料	電子元器件	共2個品種。品種1：粒度D50：3µm～ 4µm；比表面積： 0.9～1.2m2/g；碾壓密度：≥2.2g/cm3 品種2：粒度D50：1.8～3.2 µm；比表面積：1.2 ～2m2/g；碾壓密度≥2.1g/cm3；	略
188	1905WM0007-超高居里溫度壓電陶瓷材料	電子元器件	共3個品種。品種1：居里溫度Tc ≥ 650℃，壓電應變常數(shù)d33：≥30pC/N，高溫電阻率：≥107Ωcm（482℃）品種2：居里溫度Tc ≥ 900℃，壓電應變常數(shù)d33：≥20pC/N，高溫電阻率：≥5×106Ωcm（600℃）品種3：居里溫度Tc ≥ 1300℃，壓電應變常數(shù)d33：≥3pC/N ，高溫電阻率：≥106Ωcm（650℃）	略
189	1905WM0008-芯片電容用介質(zhì)陶瓷材料	電子元器件	共3個品種。品種1：介電常數(shù)（25℃，1MHz）：3300±300 ，絕緣強度 ≥6KV/mm，電容量隨溫度變化率(%)±10 品種2：介電常數(shù)（25℃，1MHz）：4500±400，絕緣強度 ≥6KV/mm ，電容量隨溫度變化率(%) ±15　　品種3：介電常數(shù)（25℃，1MHz） 25000±2500，絕緣強度≥0.3KV/mm　，電容量隨溫度變化率(%) ±15	略
190	1905WM0009-埋入式芯片電容用介質(zhì)材料	電子元器件	共1個品種。介電常數(shù)（25℃，1MHz）：2000±200，絕緣強度 ≥4KV/mm，燒結溫度：≤950℃	略
191	1905WM0010-雙工器用超高Q值微波介質(zhì)陶瓷材料	電子元器件	共1個品種。介電常數(shù)：24±0.3，品質(zhì)因子Q•f：＞230000GHz，頻率溫度系數(shù)：0±2ppm/℃（-55～85℃），粉體粒徑D50:0.5±0.1µm	略
192	1905WM0011-疊層片式電感器用低溫共燒陶瓷材料	電子元器件	共1個品種。介電常數(shù)ε≤4.8（1 MHz，25℃），介電損耗tanδ≤2×10-3（1MHz，25℃），熱膨脹系數(shù)（30～380℃）：4.2±1(10-6/K)，體積電阻率（150℃）：≥1013（Ω.cm）；	略
193	1905WM0012-高壓多層片式壓敏電阻器用介質(zhì)陶瓷材料	電子元器件	共1個品種。電位梯度E1mA/（V*mm-1）：1400±100V/mm，非線性系數(shù)：α≥30，介電常數(shù)：300±100，粒度：D10≤0.6μm，D50≤1.2μm，D90≤3.0μm；	略
194	1905WM0013-高溫高穩(wěn)定稀土鈷永磁材料	電子元器件	共3個品種。工作溫度≥450℃，HcJ(kA/m)≥1989kA/m。品種1：αm(10-6/℃)：-150±50， (BH)max(kJ/m3)：143±8 品種2：αm(10-6/℃)： -100±50， (BH)max(kJ/m3)： 127±8 品種3：αm(10-6/℃)： -100±50，(BH)max(kJ/m3)： 103±10。	略
195	1905WM0014-寬頻高居里溫度高磁導率MnZn鐵氧體材料	電子元器件	共3個品種。品種1：μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT)：15000±25％，Bs(10kHz,25℃,1200A/m)：≥390mT，Tc≥125℃ 品種2：μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT)： 18000±25％，Bs(10kHz,25℃,1200A/m)：≥370mT，Tc≥110℃ 品種3：μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT)： 20000±30％，Bs(10kHz,25℃,1200A/m)：≥370mT，Tc≥110℃。	略
196	1905WM0015-毫米波行波管用高精值高可靠釤鈷磁體	電子元器件	共3個品種。品種1：(BH)max:247±16 kJ/m3，HcJ≥1989 kA/m，Br/(μ0HcB):1.04～1.08，Tm≥300℃ 品種2：(BH)max:231±16 kJ/m3，HcJ≥2387 kA/m，Br/(μ0HcB):1.04～1.07，Tm≥350℃ 品種3：(BH)max:215±16 kJ/m3，HcJ≥2548 kA/m)，Br/(μ0HcB):1.04～1.07，Tm≥350℃	略
197	1905WM0016-發(fā)射電流密度≥150A/cm2陰極材料	電子元器件	共1個品種。工作溫度≤1100℃，電流密度≥150A/cm2，壽命≥2000小時（電子槍內(nèi)@50A/cm2）。	略
198	1905WM0017-多層微波電路用熱固性低介微波復合介質(zhì)基板材料	電子元器件	共2個品種。介電常數(shù)：3.48±0.05（10GHz），損耗因子：≤0.0037（10GHz），品種1：厚度及均一性：0.508±0.025mm 品種2：厚度及均一性：0.762±0.03mm；	略
199	1905WM0018-匹配9K7電子漿料	電子元器件	共12個品種。匹配杜邦9K7基板用金導體、銀系導體、電阻漿料。	略
200	1905WM0019-中溫低損耗氧化鋁封裝材料體系	電子元器件	共2個品種。產(chǎn)品1：介電常數(shù)：9～9.5，抗彎強度：≥450MPa，燒結溫度：≤1300℃ 產(chǎn)品2：固含量：75%～90%，粘度：100（Pa•s，10rpm）～500（Pa•s，10rpm），細度：≤10μm，導體方阻：≤5mΩ/□	略
201	1905WM0020-導熱吸波材料	電子元器件	共3個品種。品種1：電磁波衰減系數(shù)：≥4dB/cm(2GHz)，≥10dB/cm(8GHz)，≥13dB/cm(18GHz)，密度：≤4.0g/cm3，導熱系數(shù)：≥1.5 W/m•K。品種2：電磁波衰減系數(shù)：≥5dB/cm(2GHz),,≥11dB/cm(8GHz),≥15dB/cm(18GHz)，密度：≤4.5g/cm3，導熱系數(shù)：≥2.5 W/m•K。品種3：電磁波衰減系數(shù)：≥5dB/cm(2GHz),≥11dB/cm(8GHz),≥15dB/cm(18GHz)，密度：≤4.5g/cm3，導熱系數(shù)：≥1.5 W/m•K。	略
202	1905WP0001-大尺寸LTCC基板釬焊型鋁硅金屬外殼系列	電子元器件	共2個品種。底盤材料：鋁硅，基板材料：LTCC，焊接孔洞率：≤10% ，單個孔洞小于1.5mm×1.5mm，翹曲度：≤5μm/mm	略
203	1905WP0002-多光路-射頻多腔體金屬外殼系列	電子元器件	共2個品種。漏氣速率：≤1×10-3Pa•cm3/s，絕緣電阻：500VDC，R≥1×1010Ω，透光率＞98%，微波特性：頻率40G，駐波比≤1.2	略
204	1905WP0003-陶瓷絕緣子圓形金屬外殼系列	電子元器件	共2個品種。絕緣電阻≥1×1010Ω，溫度循環(huán)：-65℃～175℃,500次循環(huán)，漏氣率≤1×10-3Pa•cm3/s（He,環(huán)境和機械試驗后），鹽霧試驗：48h	略
205	1905WP0004-基于HTCC的TR組件用陶瓷外殼系列	電子元器件	共2個品種。品種1：引出端數(shù)量：24；金屬底盤熱導率≥200W/m•K；品種2：引出端數(shù)量：16；產(chǎn)品應用頻段：8 GHz -12.5GHz；鹽霧（未封口）：24h	略
206	1905WP0005-高密度雙面腔氮化鋁陶瓷外殼系列	電子元器件	共2個品種。基體材料：AlN-HTCC，雙面多腔，抗彎強度：≥400MPa，導帶方阻：≤15mΩ/□，金屬化附著力：≥43N/mm2	略
207	1905WP0006-內(nèi)部LGA垂直傳輸結構FP型陶瓷外殼系列	電子元器件	共2個品種。應用頻率（GHz）：8～12.5，傳輸端口回波損耗(dB)：S11≤-15，傳輸端口插入損耗(dB)：S21≥-0.5，標準偏差≤0.05，隔離度(dB)：≥35	略
208	1905WP0007-電源用低阻上下腔CSOP型陶瓷外殼系列	電子元器件	共2個品種。輸入端/輸出端引線電阻：≤20mΩ，帶熱沉，上下腔，內(nèi)配金錫合金焊環(huán)的陶瓷蓋板，鹽霧：24h	略
209	1905WP0008-二次密封結構CLCC型陶瓷外殼系列	電子元器件	共2個品種。密封區(qū)平面度：≤50μm，差分對輸入端/輸出端引線電阻：≤200mΩ，氣密性：≤1×10-3Pa•cm3/s（A4），絕緣電阻：≥1×1010Ω，500VDC	略
210	1905WP0009-低引線電阻表貼型陶瓷外殼系列	電子元器件	共2個品種。金屬化剝離強度：≥4.3kg/mm2，方阻：5 mΩ/□～8mΩ/□，引線電阻：≤0.01Ω，氣密性、溫度循環(huán)、恒定加速度、引線牢固度等滿足GJB923A 要求，工作溫度： -65℃～175℃	略
211	1905WP0010-3000W微波大功率器件用外殼	電子元器件	共3個品種。應用頻率:8GHz～12GHz，導通電阻：≤10mΩ，傳輸端口射頻隔離度：≥35db，射頻傳輸端口插入損耗：≤0.25db	略

附件二：

中央軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局關于2019年

電子元器件科研項目評審工作規(guī)范

第一章總則

第一條 為規(guī)范中央軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局（以下簡稱信息系統(tǒng)局）2019年電子元器件科研項目立項評審工作，營造有利于激發(fā)創(chuàng)新活力的公平公正競爭環(huán)境，制定本工作規(guī)范。

第二條 本工作規(guī)范是2019年電子元器件科研項目立項評審工作的基本依據(jù)。

第三條 立項評審分為初審和會議評審，可按專業(yè)領域并行開展評審工作。

第二章項目申報與形式審查

第四條 申報單位應具備以下條件：

（一）在中華人民共和國境內(nèi)注冊且法定代表人具有中華人民共和國國籍；

（二）非外資控股企業(yè)；

（三）不得為從事代理、銷售等非科研生產(chǎn)性質(zhì)的單位；

（四）取得國家標準的質(zhì)量管理體系認證證書；

（五）涉密項目申報單位需具備需三級（含）以上保密資格，以及相應專業(yè)的裝備承制單位資格；

注：如申報單位不具備裝備承制單位資格，且經(jīng)評審最終成為項目承研單位，須經(jīng)信息系統(tǒng)局組織進行裝備承制單位資格審查后，方可簽訂研制合同。

第五條 申報單位根據(jù)需求對接階段領取的項目任務書編寫項目申報材料，申報材料采取現(xiàn)場集中受理的方式，不受理非現(xiàn)場申報的材料。

第六條 申報單位可申報多個項目，但不允許只申報項目的部分研究內(nèi)容。

第七條 申報材料受理時，同步完成形式審查。以下情況視為形式審查不通過：

（一）申報材料不齊全；

（二）申報項目的編號、名稱與需求信息不符；

（三）申報單位保密資質(zhì)不滿足申報項目密級要求；

（四）申報單位上報的初審材料透露申報單位信息；

（五）有關材料未按要求加蓋申報單位公章，或公章與申報單位不符；

（六）其他明顯不符合申報要求的情況。

第八條 現(xiàn)場形式審查未通過的申報材料，可修改后在項目受理期內(nèi)再次提交，超過受理期限不予受理。

第三章初審

第九條 超過5個申報單位的項目，需進行初審和會議評審；不超過5個（含）的申報單位的項目直接采取會議評審方式。

第十條 初審采取盲評方式，專家組按照“指定+隨機抽取相結合”的方式，從信息系統(tǒng)局確定的專家?guī)熘绣噙x組成，人數(shù)一般為5-7人，主要為技術專家。

第十一條 初審過程中，專家各自獨立對項目申報書的研究目標、研究進度、研究成果、關鍵技術、研究方案及技術途徑等內(nèi)容進行書面審查并打分。每個項目申報書的得分為去掉一個最高分、去掉一個最低分后的平均值。

第十二條 每個項目得分前5名，且高于70分的單位為初審通過單位。

第四章會議評審

第十三條 通過初審進入會議評審的項目，原則上應由申報單位的項目負責人到會答辯，不到會答辯的，視為放棄申報。

第十四條 會議評審專家組按照“指定+隨機抽取相結合”的方式，從信息系統(tǒng)局確定的專家?guī)熘绣噙x組成，人數(shù)一般為11-15人，主要由技術專家（包括行業(yè)專家和用戶專家）和價格專家構成，會議評審專家不得作為申報單位項目負責人進行答辯。

第十五條 申報單位參加會議評審入場前，應當對評審專家組名單予以確認。申報單位如有充足理由申請專家回避的，應向軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局提出書面申請，軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局會同評審專家組集體研究決定是否予以回避。申報單位確認后方可參加會議評審。

第十六條 會議評審過程中，申報單位匯報項目綜合立項論證報告和經(jīng)費概算報告后。技術專家各自獨立按照評審指標體系對項目進行打分，并給出是否同意立項結論。計算該單位項目得分時，首先隨機去除2名技術專家得分，再去掉一個最高分和一個最低分得出的平均值，為最終得分。得分高于70分，且三分之二以上技術專家同意立項為通過評審。

注：承研單位在研合同執(zhí)行情況得分將納入評審指標體系，如承研單位無在研項目，其合同執(zhí)行得分按參加該項目評審的其他單位合同執(zhí)行情況得分平均值計算。

第十七條 技術專家和價格專家按照有關財務規(guī)章制度，各自獨立給出項目概算評審經(jīng)費。計算專家組建議概算時，去掉一個最高經(jīng)費（在經(jīng)費相同時去掉財務專家的建議經(jīng)費）、一個最低經(jīng)費（在經(jīng)費相同時去掉技術專家的建議經(jīng)費），并按照價格專家權重為1.2、技術專家權重為1得出專家組建議概算。

第十八條型譜類項目（編號含WJ、WH、WW、WQ、WG、WZ、WY、WD字段）選取通過評審的綜合得分前2名單位為候選承研單位。第一名單位項目經(jīng)費為該單位申報經(jīng)費與專家組建議經(jīng)費的就低值，第二名單位項目經(jīng)費為該單位申報經(jīng)費與50%專家組建議經(jīng)費的就低值。

第十九條 型譜類以外項目原則上選取綜合得分第一名為候選承研單位，項目經(jīng)費為該單位申報經(jīng)費和專家組建議經(jīng)費的就低值。

第五章附則

第二十條 會議評審后，有關入圍候選單位信息按指南發(fā)布渠道予以公示，公示期5天。

第二十一條 評審相關材料全部歸檔備查，會議評審期間全程攝像。若認為評審過程存在違規(guī)行為，可在公示期內(nèi)提出書面申訴，并提供準確違規(guī)情況。信息系統(tǒng)局組織進行調(diào)查核實后，如申訴情況屬實，將依照有關規(guī)定進行處理，并視情組織復議；如申訴情況不屬實，則視為無理申訴，將暫停無理申訴單位下一年度電子元器件科研任務申報資格。

第二十二條 本工作規(guī)范由軍委裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局負責解釋。

項目申報意向登記表

我單位查詢裝備發(fā)展部信息系統(tǒng)局發(fā)布的2019年軍用電子元器件科研項目后，結合自身能力與發(fā)布的研究內(nèi)容，決定申報項目如下：

單位名稱：×××××××××

序號	項目編號	項目名稱
1
2
3
4
5
6

我單位鄭重承諾將按上述項目準備申報材料，并如期參加對接會。

聯(lián) 系人：

聯(lián)系電話：

單位名稱：（蓋章）

2019年×月×日

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